MerkmaleNVMe Version: 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
SSD Speicherkapazität: 4 TB
SSD-Formfaktor: M.2
Schnittstelle: PCI Express 4.0
Eigenschaft: NVMe
Speichertyp: V-NAND MLC
Komponente für: PC
Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung
Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s
Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB): 1400000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB): 1550000 IOPS
PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
Eigenschaft: DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung
Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung
Eigenschaft: TRIM-Unterstützung
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
Schutzfunktion: Hitzebeständig
EnergieArbeitsspannung: 3.3 V
Stromverbrauch (durchschnittl.): 5.5 W
Gewicht und AbmessungenBreite: 80 mm
Tiefe: 2.3 mm
Höhe: 22 mm
Gewicht: 9 g
BetriebsbedingungenBetriebstemperatur: 0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
| Bezeichnung |
Wert |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) |
22 mm x 80 mm x 2.3 mm |
| Formfaktor |
M.2 2280 |
| Gewicht |
9 g |
| Hardwareverschlüsselung |
Ja |
| Hersteller |
Samsung |
| Kapazität |
4 TB |
| Merkmale |
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T. |
| NAND-Flash-Speichertyp |
Multi-Level-Cell (MLC) |
| Schnittstelle |
PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Speichergröße |
4tb |
| Typ |
Solid State Drive - intern |
| Verschlüsselungsalgorithmus |
256-Bit-AES |