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SAMSUNG MZ-V9P1T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 PRO (BILD1)
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Datenblatt: 127734

PDF Datenblatt
SAMSUNG MZ-V9P1T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 PRO (BILD2)
SAMSUNG MZ-V9P1T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 PRO (BILD3)
SAMSUNG MZ-V9P1T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 PRO (BILD5)
SAMSUNG MZ-V9P1T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 PRO (BILD6)

Samsung 990 PRO

Beschreibung: (Nr.:MZ-V9P1T0BW | SAMSUNG Interne SSDs):

Merkmale
NVMe Version: 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
SSD-Formfaktor: M.2
SSD Speicherkapazität: 1 TB
Schnittstelle: PCI Express 4.0
Speichertyp: V-NAND MLC
Eigenschaft: NVMe
Komponente für: PC
Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung
Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s
Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB): 1200000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB): 1550000 IOPS
PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
Eigenschaft: DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung
Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung
Eigenschaft: TRIM-Unterstützung
Eigenschaft: Externer DDR-Cache
Kapazität externer DDR-Cache: 1024 MB
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
Energie
Arbeitsspannung: 3.3 V
Stromverbrauch (max.): 7.8 W
Stromverbrauch (durchschnittl.): 5.4 W
Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
Maximale Betriebstemperatur: 70 °C
Vibrationen in Betrieb: 1500 G
Technische Details
Gewährleistungsfrist: 5 Jahr(e)
Gewicht und Abmessungen
Breite: 80 mm
Tiefe: 2.3 mm
Höhe: 22 mm
Gewicht: 9 g
Verpackungsdaten
Verpackungsart: Box
Bestellnummer: CAPLWL-238845
Hersteller: SAMSUNG
Hersteller-Nr: MZ-V9P1T0BW
Shop Kategorie: Interne SSDs
Lagerbestand:
EAN / GTIN: 8806094215021

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