Beschreibung: (Nr.:MZ-V9P1T0BW | SAMSUNG Interne SSDs):
Merkmale NVMe Version: 2.0 Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES SSD Speicherkapazität: 1 TB SSD-Formfaktor: M.2 Schnittstelle: PCI Express 4.0 Eigenschaft: NVMe Speichertyp: V-NAND MLC Komponente für: PC Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s Zufälliges Lesen (4KB): 1200000 IOPS Zufälliges Schreiben (4KB): 1550000 IOPS PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4 Eigenschaft: DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung Eigenschaft: TRIM-Unterstützung Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h Energie Arbeitsspannung: 3.3 V Stromverbrauch (max.): 7.8 W Stromverbrauch (durchschnittl.): 5.4 W Gewicht und Abmessungen Breite: 80 mm Tiefe: 2.3 mm Höhe: 22 mm Gewicht: 9 g Verpackungsdaten Verpackungsart: Box Betriebsbedingungen Betriebstemperatur: 0 - 70 °C Minimale Betriebstemperatur: 0 °C Maximale Betriebstemperatur: 70 °C Vibrationen in Betrieb: 1500 G Sonstige Funktionen Garantiezeit: 5 Jahr(e)
Technische Daten:
Angaben ohne Gewähr
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Bestellnummer: |
CAPLWL-238845 |
Hersteller: |
SAMSUNG |
Hersteller-Nr: |
MZ-V9P1T0BW |
Shop Kategorie: |
Interne SSDs |
Lagerbestand: |
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EAN / GTIN: |
8806094215021 |
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