MerkmaleNVMe Version: 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
SSD Speicherkapazität: 4 TB
SSD-Formfaktor: M.2
Schnittstelle: PCI Express 4.0
Eigenschaft: NVMe
Speichertyp: V-NAND TLC
Komponente für: PC/Spielekonsole
Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung
M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit: 7450 MB/s
Schreibgeschwindigkeit: 6900 MB/s
Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung
Eigenschaft: TRIM-Unterstützung
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
EnergieArbeitsspannung: 3.3 V
Stromverbrauch (max.): 7.8 W
Stromverbrauch (durchschnittl.): 5.4 W
Gewicht und AbmessungenBreite: 25 mm
Tiefe: 80.2 mm
Höhe: 8.88 mm
Gewicht: 28 g
VerpackungsdatenVerpackungsart: Karton mit Aufhänger
BetriebsbedingungenBetriebstemperatur: 0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
Sonstige FunktionenGarantiezeit: 5 Jahr(e)
Entdecken Sie die Samsung 990 PRO, ein Solid-State-Laufwerk, das mit seiner Kapazität von 4 TB und fortschrittlichen Funktionen, die für Effizienz und Sicherheit entwickelt wurden, den Speicher neu definiert. Entwickelt mit der Samsung V-NAND 3bit MLC-Technologie, bietet diese interne Festplatte außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit und ist damit die ideale Wahl für Profis und Enthusiasten gleichermaßen. Die PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle sorgt für schnelle Datenübertragungsraten, während der integrierte Kühlkörper das Gerät auch bei starker Beanspruchung kühl hält. Mit Unterstützung für TRIM, Garbage Collection-Technologie und Device Sleep Mode bietet es eine Mischung aus Leistung und Energieeffizienz. Sicherheit ist oberstes Gebot: 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption sorgen für ein sicheres Gefühl. Ob Sie nun spielen, an großen Projekten arbeiten oder einfach nur einen zuverlässigen Speicher benötigen, der Samsung 990 PRO ist der Aufgabe gewachsen.
| Bezeichnung |
Wert |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) |
24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm |
| Formfaktor |
M.2 2280 |
| Gewicht |
28 g |
| Hersteller |
Samsung |
| Integrierter Kühlkörper |
Ja |
| Kapazität |
4 TB |
| Merkmale |
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T. |
| NAND-Flash-Speichertyp |
Multi-Level-Cell (MLC) |
| Schnittstelle |
PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Speichergröße |
4tb |
| Typ |
Solid State Drive - intern |
| Verschlüsselungsalgorithmus |
256-Bit-AES |