Samsung MZ-V9S1T0

Merkmale
NVMe Version: 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
SSD Speicherkapazität: 1 TB
SSD-Formfaktor: M.2
Schnittstelle: PCI Express 4.0
Eigenschaft: NVMe
Speichertyp: V-NAND TLC
Komponente für: PC
Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung
M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
Lesegeschwindigkeit: 7150 MB/s
Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s
Zufälliges Lesen (4KB): 850000 IOPS
Zufälliges Schreiben (4KB): 1350000 IOPS
Eigenschaft: DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung
Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung
Eigenschaft: TRIM-Unterstützung
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
Energie
Arbeitsspannung: 3.3 V
Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen): 4.3 W
Durchschnittlicher Stromverbrauch (Schreiben): 4.2 W
Gewicht und Abmessungen
Breite: 80.2 mm
Tiefe: 2.38 mm
Höhe: 22.1 mm
Gewicht: 9 g
Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
Die Samsung 990 EVO Plus ist ein internes Solid State-Laufwerk, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten Kapazität von 1 TB bietet sie reichlich Speicherplatz für eine Vielzahl von Dateien und Anwendungen. Das Laufwerk nutzt PCI Express 5.0 und bietet interne Datenraten von bis zu 7150 MB/s, was einen schnellen Datenabruf und minimale Ladezeiten ermöglicht. Die V-NAND TLC-Technologie von Samsung verbessert die Leistung und Ausdauer, so dass sie sich sowohl für den täglichen Gebrauch als auch für intensive Aufgaben eignet. Dieses Laufwerk ist so konzipiert, dass es einer Reihe von Umgebungsbedingungen standhält. Es arbeitet effektiv bei Temperaturen von 0°C bis 70°C und widersteht Lagertemperaturen von -40°C bis 85°C. Es bietet TRIM-Unterstützung und einen Auto Garbage Collection Algorithmus, der eine optimale Leistung über einen längeren Zeitraum gewährleistet. Die Sicherheit wird durch die Hardwareverschlüsselung und die Konformität mit TCG Opal Encryption 2.0 priorisiert, wodurch die Daten vor unbefugtem Zugriff geschützt werden.