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SAMSUNG MZ-V9E2T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 EVO (BILD1)
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Datenblatt: 135337

PDF Datenblatt
SAMSUNG MZ-V9E2T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 EVO (BILD2)
SAMSUNG MZ-V9E2T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 EVO (BILD3)
SAMSUNG MZ-V9E2T0BW, Interne SSDs, Samsung 990 EVO (BILD5)

Samsung 990 EVO

Beschreibung: (Nr.:MZ-V9E2T0BW | SAMSUNG Interne SSDs):

Merkmale
NVMe Version: 2.0
Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES
SSD-Formfaktor: M.2
SSD Speicherkapazität: 2 TB
Schnittstelle: PCI Express 4.0
Speichertyp: V-NAND TLC
Eigenschaft: NVMe
Komponente für: Universal
Eigenschaft: Hardwareverschlüsselung
Lesegeschwindigkeit: 5000 MB/s
Schreibgeschwindigkeit: 4200 MB/s
PCI-Expressschnittstelle Daten-Lanes: x4
M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm)
PCI Express CEM Revision: 4.0
Eigenschaft: S.M.A.R.T. Unterstützung
Eigenschaft: TRIM-Unterstützung
Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h
TBW-Bewertung: 1200
Energie
Arbeitsspannung: 3.3 V
Energieverbrauch (lesen): 5.5 W
Energieverbrauch (schreiben): 4.7 W
Stromverbrauch (Sleep-Modus): 0.005 W
Energieverbrauch (idle): 0.06 W
Betriebsbedingungen
Betriebstemperatur: 0 - 70 °C
Temperaturbereich bei Lagerung: -40 - 85 °C
Relative Luftfeuchtigkeit in Betrieb: 5 - 95%
Luftfeuchtigkeit bei Lagerung: 5 - 95%
Vibrationen außer Betrieb: 20 G
Stoßfestigkeit außer Betrieb: 1500 G
Technische Details
Gewährleistungsfrist: 5 Jahr(e)
Gewicht und Abmessungen
Breite: 80.2 mm
Tiefe: 22.1 mm
Höhe: 2.38 mm
Gewicht: 9 g
Verpackungsdaten
Verpackungsart: Box
Bestellnummer: CAPLWL-246448
Hersteller: SAMSUNG
Hersteller-Nr: MZ-V9E2T0BW
Shop Kategorie: Interne SSDs
Lagerbestand:
EAN / GTIN: 8806095300269

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